可控矽工作原理
一種以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制於1957年，由於它特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱為矽晶體閘流管，簡稱可控矽T。又由於可控矽最初應用於可控整流方面所以又稱為矽可控整流元件，簡稱為可控矽SCR。
在效能上，可控矽不僅具有單向導電性，而且還具有比矽整流元件(俗稱“死矽”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控矽能以毫安級電流控制大功率的機電裝置，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許透過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控矽的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點執行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。
可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
可控矽從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
1、可控矽元件的結構
不管可控矽的外形如何，它們的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN接面(J1、J2、J3)，從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。
2、 工作原理
可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN接面，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1
可控矽的基本伏安特性見圖2
圖2 可控矽基本伏安特性
(1)反向特性
當控制極開路，陽極加上反向電壓時(見圖3)，J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會發生永久性反向
(2)正向特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時(見圖4)，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN接面的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，圖3的特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
圖4 陽極加正向電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區透過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與由N2區透過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖3的虛線AB段。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的PN接面正向特性相似，見圖2中的BC段
2、 觸發導通
圖5 陽極和控制極均加正向電壓
圖1、可控矽結構示意圖和符號圖
3、可控矽在電路中的主要用途是什麼?
普通可控矽最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極體整流電路屬於不可控整流電路。如果把二極體換成可控矽，就可以構成可控整流電路。現在我畫一個最簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半週期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈衝Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處於正半周，在控制極外加觸發脈衝Ug時，可控矽被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈衝Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，可控矽導通的時間就早;Ug到來得晚，可控矽導通的時間就晚。透過改變控制極上觸發脈衝Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個週期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈衝到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控矽導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控矽在承受正向電壓的半個週期的導通或阻斷範圍的`。透過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈衝直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
4、 在橋式整流電路中，把二極體都換成可控矽是不是就成了可控整流電路了呢?
在橋式整流電路中，只需要把兩個二極體換成可控矽就能構成全波可控整流電路了。現在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了
5、可控矽控制極所需的觸發脈衝是怎麼產生的呢?
可控矽觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結電晶體觸發電路、晶體三極體觸發電路、利用小可控矽觸發大可控矽的觸發電路，等等。
6、什麼是單結電晶體?它有什麼特殊效能呢?
單結電晶體又叫雙基極二極體，是由一個PN接面和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型矽片兩端，製作兩個電極，分別叫做第一基極B1和第二基極B2;矽片的另一側靠近B2處製作了一個PN接面，相當於一隻二極體，在P區引出的電極叫發射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區域等效為一個純電阻RBB，稱為基區電阻，並可看作是兩個電阻RB2、RB1的串聯〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會隨發射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個基極B2、B1之間加上一個直流電壓UBB，則A點的電壓UA為：若發射極電壓UE<ua，二極體vd截止;當ue大於單結電晶體的峰點電壓up(up=ud+ua)時，二極體vd導通，發射極電流ie注入rb1，使rb1的阻值急劇變小，e點電位ue隨之下降，出現了ie增大ue反而降低的現象，稱為負阻效應。發射極電流ie繼續增加，發射極電壓ue不斷下降，當ue下降到谷點電壓uv以下時，單結電晶體就進入截止狀態。< p="">
7、怎樣利用單結電晶體組成可控矽觸發電路呢?
我們單獨畫出單結電晶體張弛振盪器的電路(圖8)。它是由單結電晶體和RC充放電電路組成的。合上電源開關S後，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結電晶體的峰點電壓UP時，單結電晶體突然導通，基區電阻RB1急劇減小，電容器C透過PN接面向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發生一個正跳變，形成陡峭的脈衝前沿〔圖8(b)〕。隨著電容器C的放電，UE按指數規律下降，直到低於谷點電壓UV時單結電晶體截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發脈衝。此時，電源UBB又開始給電容器C充電，進入第二個充放電過程。這樣週而復始，電路中進行著週期性的振盪。調節RP可以改變振盪週期
8、在可控整流電路的波形圖中，發現可控矽承受正向電壓的每半個週期內，發出第一個觸發脈衝的時刻都相同，也就是控制角α和導通角θ都相等，那麼，單結電晶體張弛振盪器怎樣才能與交流電源準確地配合以實現有效的控制呢?
為了實現整流電路輸出電壓“可控”，必須使可控矽承受正向電壓的每半個週期內，觸發電路發出第一個觸發脈衝的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發脈衝與電源同步。 怎樣才能做到同步呢?大家再看調壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這裡單結電晶體張弛振盪器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈衝直流電壓。在可控矽沒有導通時，張弛振盪器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結電晶體VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振盪器停止工作。當交流電壓過零瞬間，可控矽VS被迫關斷，張弛振盪器得電，又開始給電容器C充電，重複以上過程。這樣，每次交流電壓過零後，張弛振盪器發出第一個觸發脈衝的時刻都相同，這個時刻取決於RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了第一個Ug發出的時刻，相應地改變了可控矽的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。
雙向可控矽的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。