半導體工藝化學實驗報告
在我們平凡的日常裡，報告的適用範圍越來越廣泛，報告包含標題、正文、結尾等。其實寫報告並沒有想象中那麼難，以下是小編幫大家整理的半導體工藝化學實驗報告，僅供參考，希望能夠幫助到大家。
實驗名稱：矽片的清洗
實驗目的：1.熟悉清洗裝置
2.掌握清洗流程以及清洗前預準備
實驗裝置：1.半導體兆聲清洗機（SFQ-1006T）
2.SC-1；SC-2
實驗背景及原理：
清洗的目的在於清除表面汙染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在於矽片表面。有機汙染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機汙染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；鹼金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒汙染包括矽渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。清除汙染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。
我們這裡所用的的是化學清洗。清洗對於微米及深亞微米超大規模積體電路的良率有著極大的影響。SC-1及SC-2對於清除顆粒及金屬顆粒有著顯著的.作用。
實驗步驟：
1. 清洗前準備工作：
儀器準備：
①燒杯的清洗、乾燥
②清洗機的預準備：開總閘門、開空氣壓縮機；開旋轉總電源（清洗裝置照明自動開啟）； 將急停按鈕旋轉拉出，按下旁邊電源鍵；緩慢開啟超純水開關，角度小於45o；根據需要給1#、2#槽加熱，正式試驗前提前一小時加熱，加熱上限為200o。本次實驗中選用了80℃為反應溫度。
③SC-1及SC-2的配置：
我們配製體積比例是1:2:5，所以選取溶液體積為160ml，對SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，對SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:100ml。
2. 清洗實際步驟：
① 1#號槽中放入裝入1號液的燒杯，待溫度與槽中一樣後，放入矽片，加熱10min,然後超純水清洗。
② 2#號槽中放入裝入2號液的燒杯，待溫度與槽中一樣後，放入矽片，加熱10min,然後超純水清洗。
③ 兆聲清洗10分鐘，去除顆粒
④ 利用相似相溶原理，使用乙醇去除有機物，然後超純水清洗並吹乾。
實驗結果：
利用顯微鏡觀察清洗前後矽片影象表面
清洗前矽片照片
清洗後的矽片照片
實驗總結：
清洗過後明顯地發現矽片表面不像原來那樣油膩，小顆粒明顯減少。說明我們此次使用實驗方法是正確的，實驗結果較為成功。