電子技術基礎作業答案
電子技術基礎會出什麼樣的題型呢？考什麼內容呢？下面是小編為大家收集整理的電子技術基礎作業相關內容，歡迎閱讀。
一、填空題：（每空0.5分，共25分）
1、N型半導體是在本徵半導體中摻入極微量的這種半導體內的多數載流子為 自由電子 ，少數載流子為 空穴 ，不能移動的雜質離子帶 正 電。P型半導體是在本徵半導體中摻入極微量的 三 價元素組成的。這種半導體內的多數載流子為 空穴 ，少數載流子為 自由電子 ，不能移動的雜質離子帶 負 電。
2、三極體的內部結構是由區及結和結組成的。三極體對外引出的電極分別是 發射 極、 基 極和 集電 極。
3、PN接面正向偏置時，外電場的方向與內電場的方向有利於 ；PN接面反向偏置時，外電場的方向與內電場的方向 一致
4、PN接面形成的過程中，P型半導體中的多數載流子由N型半導體中的多數載流子由 N 向 P 區進行擴散。擴散的結果使它們的交界處建立起一個 空間電荷區 ，其方向由 N 區指向 P 區。 空間電荷區 的建立，對多數載流子的 擴散 起削弱作用，對少子的 漂移 起增強作用，當這兩種運動達到動態平衡時， PN接面 形成。
5、檢測二極體極性時，需用萬用表歐姆擋的檔位，當檢測時錶針偏轉度較大時，與紅表棒相接觸的電極是二極體的 陰 極；與黑表棒相接觸的電極是二極體的 陽 極。檢測二極體好壞時，兩表棒位置調換前後萬用表指標偏轉都很大時，說明二極體已經被 擊穿
6、單極型電晶體又稱為溝道和溝道。
7、穩壓管是一種特殊物質製造的接觸型二極體，正常工作應在特性曲線的 反向擊穿 區。
二、判斷正誤：（每小題1分，共10分）
1、P型半導體中不能移動的雜質離子帶負電，說明P型半導體呈負電性。 （錯）
2、自由電子載流子填補空穴的“複合”運動產生空穴載流子。 （對）
3、用萬用表測試電晶體時，選擇歐姆檔R×10K檔位。 （錯） （錯）
5、無論在任何情況下，三極體都具有電流放大能力。 （錯） 1 4、PN接面正向偏置時，其內外電場方向一致。（PN接面反向偏置時，其內外電場方向一致 ）
6、雙極型電晶體是電流控制元件，單極型電晶體是電壓控制元件。 （對）
7、二極體只要工作在反向擊穿區，一定會被擊穿。 （錯）
8、當三極體的集電極電流大於它的最大允許電流ICM時，該管必被擊穿。 （錯）
9、雙極型三極體和單極型三極體的導電機理相同。 （錯）
10、雙極型三極體的集電極和發射極型別相同，因此可以互換使用。 （錯）
三、選擇題：（每小題2分，共20分）
1、單極型半導體器件是（ C ）。
A、二極體； B、雙極型三極體； C、場效電晶體； D、穩壓管。
2、P型半導體是在本徵半導體中加入微量的（ A ）元素構成的。
A、三價； B、四價； C、五價； D、六價。
3、穩壓二極體的正常工作狀態是（ C ）。
A、導通狀態； B、截止狀態； C、反向擊穿狀態； D、任意狀態。
4、用萬用表檢測某二極體時，發現其正、反電阻均約等於1KΩ，說明該二極體
（ C ）。
A、已經擊穿； B、完好狀態； C、內部老化不通； D、無法判斷。
5、PN接面兩端加正向電壓時，其正向電流是（ A ）而成。
A、多子擴散； B、少子擴散； C、少子漂移； D、多子漂移。
6、測得NPN型三極體上各電極對地電位分別為VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，
說明此三極體處在（ A ）。
A、放大區； B、飽和區； C、截止區； D、反向擊穿區。
7、絕緣柵型場效電晶體的輸入電流（ C ）。
A、較大； B、較小； C、為零； D、無法判斷。
8、正弦電流經過二極體整流後的波形為（ C ）。
A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍為正弦波。
9、三極體超過(C）所示極限引數時，必定被損壞。
A、集電極最大允許電流ICM； B、集—射極間反向擊穿電壓U（BR）CEO；
C、集電極最大允許耗散功率PCM； D、管子的電流放大倍數 。
10、若使三極體具有電流放大能力，必須滿足的外部條件是（ C ）
A、發射結正偏、集電結正偏； B、發射結反偏、集電結反偏；
C、發射結正偏、集電結反偏； D、發射結反偏、集電結正偏。
四、簡答題
1、N型半導體中的多子是帶負電的自由電子載流子，P型半導體中的多子是帶正電的'空穴載流子，因此說N型半導體帶負電，P型半導體帶正電。上述說法對嗎？為什麼？
答：這種說法是錯誤的。因為，晶體在摻入雜質後，只是共價鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了N型半導體或P型半導體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，所以仍呈電中性。
2、某人用測電位的方法測出電晶體三個管腳的對地電位分別為管腳①12V、管腳②3V、管腳③3.7V，試判斷管子的型別以及各管腳所屬電極。
答：管腳③和管腳②電壓相差0.7V，顯然一個矽管，是基極，一個是發射極，而管腳①比管腳②和③的電位都高，所以一定是一個NPN型矽管。再根據管子在放大時的原則可判斷出管腳②是發射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。
3、已知E=5V，ui=10sinωtV，
二極體為理想元件（即認為正向導通時電阻R=0，反向阻斷時電阻R=∞），試畫出u0的波形。
答：分析：根據電路可知，當ui>E時，二極體導通u0=ui，當ui<E時，二極體截止時，u0=E。
4、半導體和金屬導體的導電機理有什麼不同？單極型和雙極型電晶體的導電情況又有何不同？
答：金屬導體中只有自由電子一種載流子參與導電，而半導體中則存在空穴載流子和自由電子兩種載流子，它們同時參與導電，這就是金屬導體和半導體導電機理上的本質不同點。單極型電晶體內部只有多數載流子參與導電，因此和雙極型電晶體中同時有兩種載流子參與導電也是不同的。
5、矽穩壓管DZ1的穩定電壓為8V，DZ2的穩定電壓為6V，正向壓降均為0.7V，求各電路的輸出電壓U0。
答：（a）圖：兩穩壓管串聯，總穩壓值為14V，所以U0=14V；
（b）圖：兩穩壓管並聯，輸出電壓按小值計，因此U0=6V；
（c）圖：兩穩壓管反向串聯，U0=8.7V；
（d）圖：兩穩壓管反向並聯，可認為DZ1截止不通，則U0=0.7V。