電力電子技術基礎

電力電子技術基礎

電力電子技術基礎

1、電晶體具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大；

2、電晶體放大作用的實質是用一個小電流控制一個大電流；

3、電晶體的擊穿電壓與溫度有關，會發生變化；

4、PNP型與NPN型電晶體都可以看成是反向串聯的兩個PN接面；

5、帶阻尼電晶體是將電晶體、阻尼二極體、與保護電阻封裝在一起構成的'；

6、差分對管是將兩隻效能引數相同的電晶體封裝在一起構成的；

7、達林頓管的放大係數很高，主要用於高增益放大電路等；

8、場效應電晶體可分為結型和絕緣柵型兩大類；

9、結型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電；

10、場效應電晶體的輸出特性曲線可分為四個區域；

電力電子技術基礎

1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化；

2、P型半導體又稱為空穴半型半導體；

3、PN接面的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏；

4、PN接面的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏；

5、PN接面正向偏值時處於導通狀態；

6、PN接面反向偏值時處於截止狀態；

7、矽二極體的正向電壓為0.7V，鍺管為0.3V；

8、對於質量良好的二極體，其正向電阻一般為幾百歐姆；

9、穩壓二極體廣泛應用於穩壓電源與限幅電路中；

10、變容二極體的反向偏壓越大，其結電容越大；